화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 사용한 패터닝 방법

Chemically Amplified Resist Material and Patterning Method Using Same

Abstract

본 발명은 외부로부터의 염기종에 기인하는 화학 증폭 레지스트막의 패턴 결함을 억제할 수 있는 화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 이용한 패터닝 방법을 제공하는 것이다. 본 발명은 기재 수지, 및 패터닝 노광의 파장에 감도를 갖는 광산발생제를 포함하는 레지스트 재료로서, 이 패터닝 노광과는 별도의 처리에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 활성제를 더 포함하는 화학 증폭 레지스트 재료에 관한 것이다. 바람직하게는 활성제는 열에 의해 분해되어 산 또는 라디칼을 발생시키는 물질이고, 이 물질은 레지스트 재료의 도막으로부터 레지스트막을 형성하는 베이킹 온도 이하의 온도에서 가열함으로써 산 또는 라디칼을 발생시키는 것이 바람직하다. 활성제는 광산발생제가 감도를 갖지 않는 파장에서의 노광에 의해 산 또는 라디칼을 발생하는 물질일 수도 있다. 화학 증폭 레지스트, 패터닝, 광산발생제

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2001081137-AMarch 27, 2001Wako Pure Chem Ind Ltd, 和光純薬工業株式会社新規なポリマー及びレジスト組成物
    JP-2001188341-AJuly 10, 2001Hyundai Electronics Ind Co Ltd, 現代電子産業株式会社レジストフロー工程用フォトレジスト組成物、及びこれを利用したコンタクトホールの形成方法

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