비휘발성 메모리 장치

Non volatile memory device

Abstract

본 발명은 로우 버퍼를 포함한 비휘발성 메모리 장치의 데이터 전송을 제어하는 기술에 관한 것으로, 로우 데이터 버퍼와 데이터 입출력 패드(DQ) 사이의 데이터 교환을 효율적으로 제어할 수 있는 비휘발성 메모리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 이를 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 일정 수의 출력 데이터마다 데이터 그룹을 형성하는 다수의 출력 데이터를 저장하되, 각각의 데이터 그룹에 대응하는 복수의 데이터 구역으로 구분되는 로우 데이터 버퍼부와, 구역선택신호에 대응하는 해당 데이터 구역의 데이터 그룹을 예정된 다수의 패드로 전달하되, 순서제어신호에 응답하여 버스트 랭스(Burst Length)에 따라 각 패드마다 할당된 출력 데이터의 출력순서를 조절하기 위한 데이터 전달부를 구비하는 비휘발성 메모리 장치가 제공된다. 로우 데이터 버퍼, 로우 어드레스 버퍼, 버스트 랭스, 비휘발성 메모리 장치, 입출력 패드

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    KR-100576505-B1April 26, 2006주식회사 하이닉스반도체N비트 프리페치 방식을 갖는 반도체 메모리 장치 및그것의 데이터 전송 방법
    KR-100851545-B1August 11, 2008삼성전자주식회사Nand flash memory having c/a pin and flash memory system including that

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